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进阶篇-为小白设计的电池教程

版权©️声明 : 本文章神楽小白(GZ小白)的部落阁 

                             为小白设计的电池教程（DSDT）
                                   编写者：G.Z.小白

这个教程会尽量写的简单，只要你认真，你绝对看得懂！
此教程整理，修改，借鉴于：http://bbs.pcbeta.com/viewthread-1751487-1-1.html
对其进行了完善，以及一些有问题的地方进行了修改。

初步了解

实现原理 : 由于苹果无法使用ACPI EC中超过8位的寄存器（又叫EC缓冲区，Embedded Controller Buffer），我们需要利用Hotpatch的原理更名涉及到EC的Method使其失效并在新建的SSDT补丁中重新定义它们，使macOS能够通过SMC电池驱动正确识别电池EC信息。

好了，我觉得你应该得有个可以用的DSDT吧，如果没有请去提取自己的DSDT并反编译，排好错。具体见群文件的教程。
首先打开我们的DSDT，搜索（Command + F）Embeddedcontrol

OperationRegion名称，此为EC操作区的名称，一般名称为ERAM、ECF2、ECF3、ECOR等，并且有的机器可能不止一个

好了现在，我们找到了这里，仔细观察，发现它在EC0控制器下，具体路径是_SB.PCI0.LPCB.EC0。当然每个人的可能不一样，最后的EC0，还可能是ECDV、EC、H_EC。
这里我们主要关注Field里的东西，就是那一堆四个字母的东西。在这一堆东西中，我们只要注意8位以上的就行（就是右边的数字）。因为电池驱动无法处理8位以上的字节，所以就需要我们手动来处理来。
我们需要用到的工具：计算器（Mac自带），Maciasl，新建一个txt文件。

打开txt文件，我们先把一下代码复制进去（我会把这个做成样例放在群文件）
处理方法补丁如下

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# created by GZxioabai

# add method B1B2 
into method label B1B2 remove_entry;
into definitionblock code_regex . insert
begin
Method (B1B2, 2, NotSerialized)\n
{\n
Return(Or(Arg0, ShiftLeft(Arg1, 8)))\n
}\n
end;

 # add method B1B4
into method label B1B4 remove_entry;
into definitionblock code_regex . insert
begin
Method (B1B4, 4, NotSerialized)\n
{\n
   Store(Arg3, Local0)\n
   Or(Arg2, ShiftLeft(Local0, 8), Local0)\n
   Or(Arg1, ShiftLeft(Local0, 8), Local0)\n
   Or(Arg0, ShiftLeft(Local0, 8), Local0)\n
   Return(Local0)\n
}\n
end;

# add utility methods to read/write buffers from/to \_SB.PCI0.LPCB.EC0
into method label RE1B parent_label \_SB.PCI0.LPCB.EC0 remove_entry;
into method label RECB parent_label \_SB.PCI0.LPCB.EC0 remove_entry;
into Device label EC0 insert
begin
Method (RE1B, 1, NotSerialized)\n
{\n
   OperationRegion(ERAM, EmbeddedControl, Arg0, 1)\n
   Field(ERAM, ByteAcc, NoLock, Preserve) { BYTE, 8 }\n
   Return(BYTE)\n
}\n
Method (RECB, 2, Serialized)\n
// Arg0 - offset in bytes from zero-based \_SB.PCI0.LPCB.EC0\n
// Arg1 - size of buffer in bits\n
{\n
   ShiftRight(Arg1, 3, Arg1)\n
   Name(TEMP, Buffer(Arg1) { })\n
   Add(Arg0, Arg1, Arg1)\n
   Store(0, Local0)\n
   While (LLess(Arg0, Arg1))\n
   {\n
       Store(RE1B(Arg0), Index(TEMP, Local0))\n
       Increment(Arg0)\n
       Increment(Local0)\n
   }\n
   Return(TEMP)\n
}\n
end;

into method label WE1B parent_label \_SB.PCI0.LPCB.EC0 remove_entry;
into method label WECB parent_label \_SB.PCI0.LPCB.EC0 remove_entry;
into Device label EC0 insert
begin
Method (WE1B, 2, NotSerialized)\n
{\n
   OperationRegion(ERAM, EmbeddedControl, Arg0, 1)\n
   Field(ERAM, ByteAcc, NoLock, Preserve) { BYTE, 8 }\n
   Store(Arg1, BYTE)\n
}\n
Method (WECB, 3, Serialized)\n
// Arg0 - offset in bytes from zero-based EC\n
// Arg1 - size of buffer in bits\n
// Arg2 - value to write\n
{\n
   ShiftRight(Arg1, 3, Arg1)\n
   Name(TEMP, Buffer(Arg1) { })\n
   Store(Arg2, TEMP)\n
   Add(Arg0, Arg1, Arg1)\n
   Store(0, Local0)\n
   While (LLess(Arg0, Arg1))\n
   {\n
       WE1B(Arg0, DerefOf(Index(TEMP, Local0)))\n
       Increment(Arg0)\n
       Increment(Local0)\n
   }\n
}\n
end;

以上的这些东西是同用的处理方法，包括B1B2（16字节处理），B1B4（32字节处理），WECB和RECB（这两个是处理32字节以上的）

16位处理方法

接下来，我们来讲讲16位如何处理。

比如我们在Field下找到的这个16位的BADC，我们需要将它拆分掉，拆成来两个8字节，这样就能被电池驱动处理了。

读取操作：

我们还是先来解释一下吧，什么是读取什么是写入？在DSDT中常见的是下面两种语句。
第一种语句（老）：

Store（BADC，ENC0）

在这里，Store语句中，BADC是读的操作，而ENC0是写的操作，解释一下，就是将BADC写入到ENC0，所以你可几个口诀就是“左读右写

第二种语句（新）：

ENC0 = BADC

在这里，就刚好相反了，这里没有了Store，但意思还是将BADC写入到ENC0，所以BADC还是读，ENC0还是写。

写入操作：

Store（FB4，BADC）

在这里，Store语句中，FB4是读的操作，而BADC是写的操作，解释一下，就是将BADC写入到ENC0，所以你可几个口诀就是“左读右写”

那么其实很好理解了BADC = FB4这个就跟上面提到的反一下
了解了这些那么你可以继续接下来的拆分工作了。

Field（声明字段）下处理补丁：into Device label EC0 code_regex BADC,\s+16, replace_matched begin DCA0,8,DCA1,8, end;

我们先来理解一下这个，

  • into：针对
  • Device label：关于这个设备范围里
  • EC0:设备的名称
  • code_regex：匹配搜索
  • BADC,\s+16：被搜索的代码，\s+16表示16字节
  • replace_matched：匹配替换
  • begin DCA0,8,DCA1,8, end：从什么什么开始，到什么什么结束，这里的意思就是，用于替换的是“DCA0,8,DCA1,8, ”

那么整句话的意思就是，

在设备EC0的范围内搜索16字节的BADC，如果有，就替换为“DCA0,8,DCA1,8,”

我们在来表示成一个处理结果：BADC， 16，----->DCA0,8,DCA1,8,
当然这只是在声明字段中进行拆分处理，我们还要在BADC被调用的地方进行处理。
我们首先需要查找一下BADC在哪些地方被调用。（***重要提醒：没被调用的其实不需要拆分！意思是你根本不用去管它！***）

被调用的字段（一般在Method下）那里，对字段进行拆分：
读的处理补丁：into method label SMTF code_regex BADC replaceall_matched begin B1B2(DCA0,DCA1) end;

解释：

  • into method label SMTF：针对Method为SMTF的这个范围内
  • code_regex：匹配（搜索）
  • BADC：被搜索的字段
  • replace_matched：替换匹配
  • begin B1B2(DCA0,DCA1) end：这是被替换的内容

那么总的意思就是，

  • 在method为SMTF这个范围里面，搜索“BADC,\s+16”, ，如果有，就把它替换为“DCA0,8,DCA1,8,” 。

那么最后的处理结果是：

未处理前：

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Method (SMTF, 1, NotSerialized)
{
    If (LEqual (Arg0, Zero))
    {
        Return (BADC)
    }

    If (LEqual (Arg0, One))
    {
        Return (Zero)
    }

    Return (Zero)
}

打了补丁之后：

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Method (SMTF, 1, NotSerialized)
{
    If (LEqual (Arg0, Zero))
    {
        Return (B1B2 (DCA0, DCA1))
    }

    If (LEqual (Arg0, One))
    {
        Return (Zero)
    }

    Return (Zero)
}

当然啦，这仅仅是BADC如果是读取的时候的处理，那要是碰到写入的时候，我们就要像下面这样处理，不能使用B1B2的方法了
比如：
Store (Arg0, BADC) （BADC是16位的情况）
需要改为：
Store (ShiftRight(Arg0,8),DCA1) （DCA1是16位拆分后的第二个）
Store (Arg0,DCA0) （DCA0是16位拆分后的第一个）
那么补丁，我们就可以这样写：

into method label SMRW code_regex Store\s\(Arg3,\sBADC\) replaceall_matched begin Store(ShiftRight(Arg3,8),DCA1)\nStore(Arg3, DCA0) end;**

其中这段文字中的\s代表的是一个空格，\n代表的是换行，也就是回车，主要的是在搜索那里，需要注意符号转义，在任何符号前都要加一个反斜杠转义，也就是加一个\

那最后的处理结果是：
未处理：

1
Store (Arg0, BADC)

打了补丁后：

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2
Store (ShiftRight(Arg0,8),DCA1)
Store (Arg0,DCA0)

32字节处理方法

32位字段的处理方法其实跟16位一样，用到的是B1B4，区别就是，16位拆除2个，32拆除4个
在Field里查找32位的，这里我们也是举一个例子，比如B1CH

补丁如下：
into Device label EC0 code_regex B1CH,\s+16, replace_matched begin CH10,8,CH11,8,CH12,CH13 end;
处理结果为：
B1CH,32, ---—> BC0H,8,BC1H,8,BC2H,8,BC3H,8,
我们可以发现，这个跟16位的差不多，就是后面多拆2个，那就不用多废话解释了。
我们直接讲在被调用的地方的处理（32字节基本不会有写入操作，也从未出现过）
补丁如下：
into method label _BIF code_regex B1CH replaceall_matched begin B1B4(CH10,CH11,CH12,CH13) end;
那这个也就不解释了，差不多的意思。其中B1B4是32位处理方法
处理结果：
未处理：

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Method (_BIF, 0, NotSerialized)
{
    Store (B1CH, IFCH)                                                  //未处理前
}

打了补丁后：

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Method (_BIF, 0, NotSerialized)
{
    Store (B1B4 (BC0H, BC1H, BC2H, BC3H), IFCH)                  //把被调用B1CH两处拆分为4个字节
}

偏移量计算

到了32位以上的字段处理，我们会使用到RECB（读）和WECB（写）两个处理方法
我先给你看两个例子：
RECB(0x98, 64)
WECB (0x1C, 256, FB4)
我们来解释一下它们的组成部分，RECB(偏移量, 字段长度)，WECB(偏移量, 字段长度,未处理前的前参数 )
字段长度很好理解，64位就是64，128位就是128，256位就是256
WECB中的未处理前的前参数，我们举个例子好理解一点
比如：
Store (FB4, SMD0)
SMD0是256位的需要处理的字段，在这里是写入，那么它的前参数，顾名思义就是前面那个FB4
那么其实，最主要的问题是偏移量了。
举例1：

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Offset (0x04), （基地址）
CMCM,   8, //0x04
CMD1,   8, //0x05
CMD2,   8, //0x06
CMD3,   8, //0x07
Offset (0x18),
Offset (0x19), （基地址）
SMST,   8, //0x19
MBMN,   80, //0x1A
MBPN,   96, //0x24
GPB1,   8, //0x30
GPB2,   8, //0x31           
GPB3,   8, //0x32        
GPB4,   8, //0x33

我们看这里的，MBMN是需要处理的80位字段，它的偏移量的计算就要涉及到它上面的基地址，我们看到了那个基地址是0x19，我们还可以发现它前面有个8位的SMST，我们将8除以8，得到1，再把0x19加上这个1，最后得到了0x1A，那么下面那个MBPN的偏移量怎么算呢，就是将前面的都加起来除以8，再加上基地址，就是8加上80得到88，除以8，等于11，转换为16进制就是B，0x19加上B，等于0x24.（注意的是，在除以8后的数字，一定要转换为16进制，再加上基地址！）
举例二：

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Offset (0x53),      //（基地址）     
B0TP,   16,      // 从基地址起 ，为0x53   
B0VL,   16,      //16，为2个字节；  计算：上一个的起始地址0x53+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x55
B0CR,   16,      //16，为2个字节；  计算：上一个的起始地址0x55+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x57
B0AC,   16,      //16，为2个字节；  计算：上一个的起始地址0x57+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x59
B0ME,   16,      //16，为2个字节；  计算：上一个的起始地址0x59+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x5b
B0RS,   16,      //16，为2个字节；  计算：上一个的起始地址0x5b+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x5d
B0RC,   16,      //16，为2个字节；  计算：上一个的起始地址0x5d+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x5f
B0FC,   16,      //16，为2个字节；  计算：上一个的起始地址0x5f+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x61
B0MC,   16,     //16，为2个字节；  计算：上一个的起始地址0x61+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x63
B0MV,   16,     //16，为2个字节；  计算：上一个的起始地址0x63+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x65
B0ST,   16,      //16，为2个字节；  计算：上一个的起始地址0x65+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x67
B0CC,   16,      //16，为2个字节；  计算：上一个的起始地址0x67+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x69
B0DC,   16,      //16，为2个字节；  计算：上一个的起始地址0x69+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x6b
B0DV,   16,      //16，为2个字节；  计算：上一个的起始地址0x6b+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x6d
B0SI,   16,      //16，为2个字节；  计算：上一个的起始地址0x6d+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x6f
B0SN,   32,     //32，为4个字节；  计算：上一个的起始地址0x6f+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x71      
B0MN,   96,    //96，为12个字节  计算：上一个的起始地址0x71+0x4（上一个的32位占了4个字节，10转为16进制为0x4）值为0x75
B0DN,   64,     // 64，为8个字节；计算：上一个的起始地址0x75+0xc（上一个的96位占了12个字节，10转为16进制为0xc）值为0x81
B0CM,   48,    //  计算：上一个的起始地址0x81+0x8（64位占了8个字节，10转为16进制为0x8）值为0x89

这里我就不说明了，自己看右边的注释理解一下吧。
举例3：

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Offset (0x5D),     //（基地址）  
ENIB,   16,     // 16，为2个字节；   从基地址起 ，为0x5D
ENDD,   8,     //8，为1个字节；  计算：上一个的起始地址0x5D+0x2（上一个的16位占了2个字节，10转为16进制为0x2）值为0x5F
SMPR,   8,     //8，为1个字节；  计算：上一个的起始地址0x5F+0x1（上一个的8位占了1个字节，10转为16进制为0x1）值为0x60
SMST,   8,     //8，为1个字节；  计算：上一个的起始地址0x60+0x1（上一个的8位占了1个字节，10转为16进制为0x1）值为0x61
SMAD,   8,   //8，为1个字节；  计算：上一个的起始地址0x61+0x1（上一个的8位占了1个字节，10转为16进制为0x1）值为0x62
SMCM,   8,     //8，为1个字节；  计算：上一个的起始地址0x62+0x1（上一个的8位占了1个字节，10转为16进制为0x1）值为0x63
SMD0,   256,    //256，为32个字节；  计算：上一个的起始地址0x63+0x1（上一个的8位占了1个字节，10转为16进制为0x1）值为0x64
BCNT,   8,      //8，为1个字节；  计算：上一个的起始地址0x64+0x20（上一个的256位占了32个字节，10转为16进制为0x20）值为0x84
SMAA,   24,      //8，为1个字节；  计算：上一个的起始地址0x84+0x1（上一个的8位占了1个字节，10转为16进制为0x1）值为0x85

举例4 最为简单：

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Field (ERAM, ByteAcc, NoLock, Preserve)
    {
        Offset (0x04),
        FLD0,   64          // 64，为8个字节；   从基地址起 ，为0x04（偏移量）
    }

Field (ERAM, ByteAcc, NoLock, Preserve)
    {
        Offset (0x04),
        FLD1,   128          // 128，为16个字节；   从基地址起 ，为0x04（偏移量）
    }

Field (ERAM, ByteAcc, NoLock, Preserve)
    {
        Offset (0x04),
        FLD2,   192          // 192，为24个字节；   从基地址起 ，为0x04（偏移量）
    }

Field (ERAM, ByteAcc, NoLock, Preserve)
    {
        Offset (0x04),
        FLD3,   256          // 256，为32个字节；   从基地址起 ，为0x04（偏移量）
    }

举例五 特殊：

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OperationRegion (SMBX, EmbeddedControl, 0x18, 0x28)            //第三个值是起始地址
Field (SMBX, ByteAcc, NoLock, Preserve)
{
        PRTC,   8,      //8，为1个字节；  上面第三个值是起始地址0x18
        SSTS,   5,      //计算：上一个的起始地址0x18+0x1（上一个的8位占了1个字节，10转为16进制为0x1）值为0x19
            ,   1,
        ALFG,   1,
        CDFG,   1,      //上面 5+1+1+1才凑够8位（1字节）
        ADDR,   8,    //8，为1个字节；计算：上一个的起始地址0x19+0x1（上面 5+1+1+1才凑够8位占了1个字节，10转为16进制为0x1）值为0x19     0x1A
        CMDB,   8, //8，为1个字节；  计算：上一个的起始地址0x1A+0x1（上一个的8位占了1个字节，10转为16进制为0x1）值为0x1B   
        BDAT,   256, //256，为32个字节；计算：上一个的起始地址0x1B+0x1（上一个的8位占了1个字节，10转为16进制为0x1）值为0x1C
        BCNT,   8,
            ,   1,
        ALAD,   7,
        ALD0,   8,
        ALD1,   8

}

32位以上字段的处理（包括64，128，256等）

在Field下，我们需要对其进行重命名使其失效。
补丁如下：

into Device label EC0 code_regex (SMD0,)\s+(256) replace_matched begin SMDX,%2,//%1%2 end;

这里需要注意的是要打括号！，还有后面的SMDX是重命名后的结果，%2,//%1%2这个也是要加上的！
接下来在被调用的地方进行处理：

读取调用

Store (SMD0, FB4)
我们要用到RECB，补丁如下：

into method label MHPF code_regex SMD0 replaceall_matched begin RECB(0x1C, 256) end;
处理结果为：Store (SMD0, FB4) —> Store (RECB (0x1C, 0x0100), FB4)

写入调用

Store (FB4, SMD0)
我们要用到WECB，补丁如下：

into method label MHPF code_regex Store\s\(FB4,\sSMD0\) replaceall_matched begin WECB(0x1C,256,FB4) end；

值得注意的是，我们这边是将整个Store语句进行了替换，这也是WECB处理的不同之处。
处理结果：Store (FB4, SMD0) —> WECB (0x1C, 256, FB4)

Mutex确认，最后检查

确保DSDT里的Mutex都是0x00，不然可能会出现电量显示0%的情况。
在DSDT里搜索Mutex，如果有的不是0x00，你就自己手动改成0x00。

补充

当电池有时能正常显示电量，有时不能会出现一个小叉，则可能是多个电池的位置导致的，如图有两个位置，分别为“BAT0”和“BAT1”，我们需要禁用掉“BAT1”这个位置，以达到正常读取电量

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